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DK5V150R25

發布者:深圳市祥壽電子科技有限公司     發布時間:2020/7/29 17:34:00   
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DK5V150R25ST1同步整流IC,產品概述DK5V150R25ST1是一款簡單高效率的同步整流芯片,只有A,K兩個功能引腳,分別對應肖特基二極管PN管腳。芯片內部集成了150V功率 NMOS管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規的肖特基整流二級管。DK5V150R25ST1采用TO-220F封裝。主要特點 適用于反激 PSR、SSR 應用 超低 VF 超低溫升 集成 150V 25mΩ 功率 NMOS 可工作于 CCM、DCM&QR 模式 自供電技術,無需外圍供電 智能檢測系統,無需前端同步信號 對 EMI/C 有適當改善 可以直接替換肖特基二極管 無需任何外圍。

功能描述DK5V150R25ST1 是一款簡單高效的兩個管腳的同步整流芯片,無需任何外圍,可以大幅降低傳統肖特基二極管的導通損耗,提高整機效率。1. 啟動芯片內置儲能電容和自供電線路,可以實現芯片和 NMOS 管驅動需求,無需外接電源。當 K 極電壓高于 A 極時,通過自供電線路,給內置 VCC 電容充電,VCC 電壓逐漸上升。在 VCC 電壓低于啟動電壓 VCC_ON 時,內置 NMOS 管關閉,當 VCC 電壓大于 VCC_ON 時,芯片內部控制電路開始工作,啟動完成。當 VCC 電壓降低到欠壓保護閾值 VCC_OFF 以下時,芯片重啟。

2. NMOS 控制當檢測到 A、K 端正向導通電壓大于開通電壓 VON 時,則打開 NMOS 管;芯片實時檢測 K 點電壓變化,依據 K 點電壓變化,判斷系統工作模式。在 CCM 模式時,通過智能算法算出當前周期 NMOS管開通時間 TON,當 NMOS 管開通時間達到 TON,關閉 NMOS 管。在非 CCM 模式時,當檢測到流過功率 MOS 管的電流逐漸減小到 0 時。 則關閉功率 MOS 管。3. RC 吸收電路在 A 和 K 之間接入 RC 吸收電路,以減小 K 點的尖峰電壓,避免內置 NMOS 管過壓擊穿。4. NMOS 導通內阻由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作過程中,隨著溫度升高,內阻值會增大,效率會降低。可適當的增加散熱面積,降低 IC 的工作溫度。5. 注意事項 應用中需要測量同步芯片的耐壓,確保同步整流芯片工作最高電壓低于同步芯片NMOS 源漏耐壓; 應用中需要測量同步芯片的溫度,評估產品工作環境最高溫度下是否超過工作結溫。

DK5V150R25 



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